[image]

космическая электроника

 
LT Bredonosec #28.11.2021 01:39
+
-
edit
 
неоднократно возникали вопросы на тему "почему нельзя то-то и то-то гражданское на орбиту пихать", или "а как делается... "
вот, пусть будет отдельная тема.

Для затравки - есть толковая обзорная статья на хабре по методам борьбы с ионизирующими эффектами, как накопленной дозой, так и разовыми импульсами от единичной частицы (как самой, так и вторичных от неё), почитал с огромным удовольствием :)

Физика радиационных эффектов, влияющих на электронику в космосе

Технологический процесс с проектными нормами 32 нм. Два ядра ARMv7 с тактовой частотой 1,3 ГГц Оперативная память – 1 Гбайт. Технологический процесс с проектными нормами 150 нм. Одно ядро... //  habr.com
 

(надеюсь, не пропадет и за 10 лет, не надо копипастить содержание для сохранности)
   88.088.0
LT Bredonosec #28.11.2021 01:45  @Bredonosec#28.11.2021 01:39
+
-
edit
 
Bredonosec> по методам борьбы с ионизирующими эффектами..., так и разовыми импульсами от единичной частицы
в частности, по ним упоминался один из методов борьбы с "тиристорным эффектом", характеризующимся образованием паразитного канала с токами, могущими сжечь элемент. - периодический сброс питания всей схемы.

Вот сейчас попалась новость, что придумали некий девайс, который позволяет это делать регулярно и каким-то образом не нарушать работу устройств (что наиболее непонятно)

Россия успешно испытала радиационный щит. Что известно

Cпециалисты холдинга Российские космические системы (РКС входит в Роскосмос) завершили испытания радиационного щита для перспективных российских спутников. Разработка абсолютно универсальна, обладает гибкими настройками и может быть интегрирована в... //  hi-tech.mail.ru
 
Чтобы избежать частичного или полного выгорания бортовых устройств, специалисты РКС разработали универсальное устройство размером всего 3 х 3 см. Оно интегрируется в электрические цепи узлов бортовой аппаратуры, ведет непрерывный мониторинг состояния входного и выходного тока напряжения, выявляет разрушающее воздействие радиации и оперативно проводит кратковременные отключения цепи продолжительностью от 5 микросекунд.

Благодаря оперативному вмешательству созданного устройства, удается избежать деградации бортовых компонентов из-за воздействия радиации.

Как проходило испытание, рассказал Степан Голованов, инженер-исследователь отдела радиационной стойкости РКС:
«Мы провели четыре испытательные сессии: математическое, компьютерное, схемотехническое моделирование и испытания на лазере. Результаты тестов показали, что новая разработка успешно отрабатывает «тиристорный эффект» с высокой скоростью и без потери работоспособности устройства, подвергнутого губительному воздействию. На сегодня это самый оптимальный способ обеспечения радиационной защиты на российском космическом рынке».

Отмечается, что новые устройства уже внедряются в производство бортовой аппаратуры перспективных навигационных космических аппаратов и спутников дистанционного зондирования Земли будущих поколений.
 
   88.088.0
LT Bredonosec #28.11.2021 01:58
+
-
edit
 
и еще от того же автора (разработчика радиационно стойких схем)

Популярные заблуждения про радиационную стойкость микросхем

Примерно в каждой второй теме на Хабре, касающейся космонавтики или электроники, всплывает тема радиационной стойкости. Через новости об отечественной космонавтике красной нитью проходит тематика... //  habr.com
 

апд, прочел - это всё-таки значительно более мурзилочного уровня, для широкого круга, скажем так, читателя.
   88.088.0
Это сообщение редактировалось 28.11.2021 в 02:09
LT Bredonosec #28.11.2021 02:44
+
+1
-
edit
 
всё-таки, некоторые особенно понравившиеся моменты отцитирую :)

Полезный совет: если вы все же решили использовать коммерческий чип и вложиться в его испытания, купите запас сразу лет на десять вперед. Это, кстати, вполне себе бизнес-модель большой и уважаемой компании 3DPlus — они испытывают на радстойкость все коммерческие микросхемы подряд, находят те, которые имеют (по сути случайно) достаточные показатели, закупают большие партии и дальше пакуют чипы в собственные корпуса под собственной маркой.
 

- балдею! :D Модель - просто балдею! ))

Дозовые эффекты

Полная поглощенная доза излучения измеряется в радах, с указанием вещества, поглощающего излучение. 1 рад = 0.01 Дж/кг, то есть количество энергии, выделившееся в единице массы вещества. Реже используется единица измерения Грэй, равная 100 рад (или 1 Дж/кг). При этом важно понимать, что поглощенная доза в разных веществах будет различаться для одного и того же количества ионизирующих частиц, выпущенных источником радиации (это экспозиционная доза). В случае с кремниевыми микросхемами нужный материал — это оксид кремния, потому что воздействие на него, а не на кремний, в основном влияет на электрические характеристики схемы, так как подвижность дырок в SiO2 при нормальной температуре настолько мала, что они накапливаются в оксиде, создавая встроенный положительный заряд. Типичные уровни дозовой стойкости коммерческих микросхем лежат в диапазоне 5-100 крад(Si), востребованные покупателями уровни радиационной стойкости начинаются на 30 крад(Si) и заканчиваются где-то в районе 1 Град(Si), в зависимости от назначения микросхем. Смертельная доза для человека — около 6 Грэй.
 

Не думал, что для человека смертельная доза эквивалентна (при переводе в чисто механическую энергию) толчку в 60 кг (600 Дж). Это сравнимо с поражением пулей.

Удельная энергоотдача ионизирующей частицы называется «линейная передача энергии» (ЛПЭ) и измеряется в МэВ, передаваемых за единицу длины пролета частицы в материале, на единицу плотности материала, то есть в (МэВ*см3)/(мг*см) или в (МэВ*см2)/мг. ЛПЭ нелинейно и немонотонно зависит от энергии частицы и взаимосвязана с длиной пробега, которая для актуальных в микроэлектронике частиц и материалов может составлять от сотен нанометров до сотен миллиметров.

Количество частиц, встречающихся в космосе, убывает с ростом ЛПЭ (см. рисунок 4). Важные значения — 30 (соответствует ионам железа) и 60 или 80 (после которых вероятность события считается пренебрежимо малой). Кроме этого, важной является цифра в 15 МэВ*см2/(мг) — это максимальная ЛПЭ, которую могут иметь продукты ядерной реакции при попадании протона или нейтрона в кремний.
 
к слову о стойкости схемотехники космической (и милитари) градации к ядерным взрывам..

1, 30 или 60 МэВ*см2/(мг) — насколько это много? Порог сбоя стандартной ячейки памяти в технологии 7 нм находится намного ниже единицы, в 180 нм — в пределах от единицы до десятки. Применение специальной схемотехники позволяет поднять порог, например, до сотни, но обычно разумнее добиться цифры в 15 или 30 единиц, а остатки редких событий отфильтровать с помощью помехоустойчивого кодирования. 60 единиц — это цифра, обычно фигурирующая в требованиях по стойкости к разрушающим эффектам.
 


На геостационарной орбите или на орбитах навигационных аппаратов рисунок 2 обещает нам дозу в несколько сотен крад(Si) — а дозовая стойкость коммерческих микросхем может легко составлять 5-10 крад(Si), то есть ни о каких 10-15 годах активного существования таких чипов на орбите речи быть не может.
 


Военные микросхемы

Занимаясь вопросом развенчания мифов о радстойкости, необходимо обязательно сказать о том, что нельзя ставить знак равенства между «радстойкими», «космическими» и «военными» микросхемами. Не все военные микросхемы — радстойкие, и не все радстойкие — военные. Если мы обратимся к американскому военному стандарту Mil-Std-883 (к американскому, потому что его российский аналог в части радиации засекречен), то мы найдем в нем множество разных тестов на влияние окружающей среды — термоциклирование, влажность, воздух с морской солью и т.д. и т.п.

Радиации касаются следующие пункты:

1017.2 Neutron irradiation
1019.8 Ionizing radiation (total dose) test procedure
1020.1 Dose rate induced latchup test procedure
1021.3 Dose rate upset testing of digital microcircuits
1023.3 Dose rate response of linear microcircuits

Полная доза и мощность дозы. Одиночные эффекты? Никак нет. В техническом задании на микросхему могут фигурировать требования на стойкость к одиночным сбоям и/или тиристорному эффекту, но эти требования не стандартизованы и каждый раз определяются заново, исходя из потребностей конкретных заказчиков каждого чипа. Получается, что статус «military» не является гарантией возможности запустить микросхему в космос? Да, это так. Примером может служить судьба печально знаменитого «Фобос-грунта», гибель которого была вызвана, согласно официальной версии (очень сложно доказуемой, зато очень удобной), попаданием тяжелой заряженной частицы в американскую микросхему памяти класса «military», которая не была стойкой к одиночным сбоям.
 


И, конечно же, не стоит забывать, что вся возня с нежно любимым всеми электронщиками бессвинцовым припоем была затеяна во многом из-за того, что свинец и некоторые другие материалы, применяемые при производстве микросхем, содержат примеси более тяжелых элементов, в частности урана, и их применение приводит к генерации небольшого, но все же хорошо измеримого потока альфа-частиц — прямо около уязвимого кремния. В случае c BGA-корпусами или 3D-сборками — по всей поверхности уязвимого кремния.

Хорошая новость — у альфа-частиц достаточно маленькая глубина пробега в кремнии (от единиц до десятков микрон, в зависимости от энергии), и многослойная металлизация помогает уменьшить их влияние. Плохая новость — на низких проектных нормах все альфа-частицы, которые все-таки долетают до кремния, вызывают сбои, и не только одиночные, но и множественные (об этом подробнее чуть ниже). Например, в прошлом году TSMC опубликовали на 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium статью об измерении количества сбоев от загрязнения альфа-частицами в памяти по проектным нормам 7 нм, то есть эта проблема продолжает существовать и требовать каких-то действий и в мире, где все перешли на бессвинцовый припой.
 
   88.088.0
+
-
edit
 

Ronin

втянувшийся
Bredonosec> Вот сейчас попалась новость, что придумали некий девайс, который позволяет это делать регулярно и каким-то образом не нарушать работу устройств (что наиболее непонятно)

Да в общем-то теоретически понятно. Если сбоит второстепенный (не процессорный) элемент (АЦП, ЦАП, порты, преобразователи, память) - то его перезапуск может быть или прозрачным, или алгоритмически скомпенсированным. Динамическую память вообще на миллисекунды-десятки можно обесточить. Можно подавать питание только когда соответствующий блок нужен (уменьшая саму вероятность защёлкивания). Если сбоит процессор - то программу должен подхватить собрат из горячего резерва.
   88
+
-
edit
 
Ronin> Да в общем-то теоретически понятно. Если сбоит второстепенный (не процессорный) элемент (АЦП, ЦАП, порты, преобразователи, память) - то его перезапуск может быть или прозрачным, или алгоритмически скомпенсированным.
с этим согласен.. Но на внешнем железе?

>Динамическую память вообще на миллисекунды-десятки можно обесточить.
по идее да. Но я так понял, что ей надо делать сброс, чтоб избавиться от наведенных зарядов, а не только временно обесточивать. Или неправ?

> Если сбоит процессор - то программу должен подхватить собрат из горячего резерва.
это понятно, только вот этим внешним блоком прерывания питания оно же не делается..
   88.088.0
RU Sandro #29.11.2021 00:35  @Bredonosec#28.11.2021 15:54
+
-
edit
 

Sandro
AXT

инженер вольнодумец
★☆
Bredonosec> по идее да. Но я так понял, что ей надо делать сброс, чтоб избавиться от наведенных зарядов, а не только временно обесточивать. Или неправ?

Нет, сброс на "наведённые" заряды не влияет никак. Это приведение системы в фиксированное (стандартное) исходное состояние. Это то, что у тебя на компе делает кнопка Reset.
   52.952.9
LT Bredonosec #29.11.2021 01:54  @Sandro#29.11.2021 00:35
+
-
edit
 
Sandro> Нет, сброс на "наведённые" заряды не влияет никак. Это приведение системы в фиксированное (стандартное) исходное состояние. Это то, что у тебя на компе делает кнопка Reset.
эээ... ну.. я слышал, что в промышленных системах реального времени ресет может происходить хоть с частотой в пару десятков герц.. Но тут описано как решение, которое можно извне интегрировать с существующими железяками, а работать по той же схеме железу и софту, не предназначенному к такому - не представляю как..

и плюс из статьи с хабра - там речь шла о как раз сбросе содержимого рамов через обесточивание. Я потому и обратил внимание на эту новость, что разговор пошел о том же, о чем в статье.
   88.088.0
+
+1
-
edit
 

Ronin

втянувшийся
Bredonosec> Но тут описано как решение, которое можно извне интегрировать с существующими железяками, а работать по той же схеме железу и софту, не предназначенному к такому - не представляю как..

Это уже какие-то домыслы, что ничего не надо дорабатывать. Приклеил на скотч штучку 3х3см и сразу всё стало збс, тзч начали облетать стороной :) Уже сам факт того что она дёргает питание говорит о том, что это надо обрабатывать. Думаю, просто сделали законченное решение (и ещё отдельный вопрос про его устойчивость к этим же факторам), а журналисты перепели про суперпупер щит.

Bredonosec> и плюс из статьи с хабра - там речь шла о как раз сбросе содержимого рамов через обесточивание.

Статическую память можно представить обнуляемой при перезапуске питания (но емнип, таких гарантий не дают). По динамической надо пройтись метлой. Но в данном случае вопрос обратный - как сохранить содержимое памяти при перезапуске.

Bredonosec> по идее да. Но я так понял, что ей надо делать сброс, чтоб избавиться от наведенных зарядов

Ошибки в памяти должны исправляться через избыточные корректирующие коды ECC (или если кодов не хватило - поднимать исключение).
Что будет, если в конденсаторе ячейки DRAM скопился нештатный заряд, сказать не готов, скорее всего сольётся в (-) или (+) через паразитный диод, или при очередном выборе данной ячейки в цикле регенерации. Или в худшем случае сработает "тиристор".

Bredonosec> а не только временно обесточивать. Или неправ?

Временно обесточивают для сброса защёлкнутого паразитного тиристора (тиристор можно запереть только нулевым током).
   88
+
-
edit
 
Ronin> Думаю, просто сделали законченное решение (и ещё отдельный вопрос про его устойчивость к этим же факторам), а журналисты перепели про суперпупер щит.
вот и я думаю, что что-то не то..

Ronin> По динамической надо пройтись метлой.
но она же энергозависимая, от потери питания должна обнуляться, разве нет?

> Но в данном случае вопрос обратный - как сохранить содержимое памяти при перезапуске.
я плохо знаю системы реального времени, вроде как там в рамах сохраняется минимум данных.
А в обычных - хз..

Bredonosec>> а не только временно обесточивать. Или неправ?
Ronin> Временно обесточивают для сброса защёлкнутого паразитного тиристора (тиристор можно запереть только нулевым током).
А там еще упомянуто, что флешки частенько умирают через смерть генератора ВЧ, который выдаёт импульсы на стирание. Как раз из-за паразитных, через которые стекает ток и генератор не может набрать нужную для стирания напруги. Вот в этом случае - вроде как просто дать полежать нет смысла? А если воткнутую во что-то выключенное, чтоб было куда стекать? Или там цепи изолированные, и тоже бессмысленно?
   91.091.0
ZA Татарин #29.11.2021 12:33  @Bredonosec#28.11.2021 02:44
+
+1
-
edit
 

Татарин

координатор
★★★★★
Bredonosec> Не думал, что для человека смертельная доза эквивалентна (при переводе в чисто механическую энергию) толчку в 60 кг (600 Дж). Это сравнимо с поражением пулей.
Оффтопично, но это не совсем так: 5(6)Гр - это энергетическая величина, для человека ещё будет важно, чем именно долбанули. Для рентгена это будет та же доза, для быстрых нейтронов - 1-5 (в зависимости от энергии), для медленных - до 10, и тяжёлыми заряженными частицами - до 20. Человеку важны зиверты, которые получаются домножением греев на коэффициент.

Опять же, это не безусловно-смертельная доза, при хорошей медицине процент выживаемости будет значительным. Считается, что LD50 - около 5 Зв.

Смерть под лучом (от окислительного шока) потребует 50 Зв.
   96.0.4664.4596.0.4664.45
+
+1
-
edit
 

Ronin

втянувшийся
Ronin>> Думаю, просто сделали законченное решение (и ещё отдельный вопрос про его устойчивость к этим же факторам), а журналисты перепели про суперпупер щит.
Bredonosec> вот и я думаю, что что-то не то..

В некоторых случаях вполне себе то. Бери и используй по даташиту.

Ronin>> По динамической надо пройтись метлой.
Bredonosec> но она же энергозависимая, от потери питания должна обнуляться, разве нет?

Статическая - это массив триггеров (требует 6 транзисторов на бит), без питания не работает. С питанием хранит сколько угодно. После переподачи питания состояния будут или случайны, или (например) обнулены (если озаботиться этим в схемотехнике).

Динамическая - это массив конденсаторов (1 транзистор + 1 конденсатор на бит), поэтому она:
а) без питания может хранить информацию 2-64мс
б) при наличии питания может хранить информацию только 2-64мс
По причине (б) ей требуются постоянные циклы регенерации через 2-64мс - т.е. бит считывается и записывается обратно (для упрощения - сразу целой строкой). В современной памяти схемы регенерации встроены в чип и она осуществляется практически незаметно.

Bredonosec> А там еще упомянуто, что флешки частенько умирают через смерть генератора ВЧ, который выдаёт импульсы на стирание.

С флешью в космосе и без того всё плохо - записанная информация будет со временем "стекать", а с multilevel ячейками (SSD, карты памяти) вообще...

Bredonosec>Вот в этом случае - вроде как просто дать полежать нет смысла? А если воткнутую во что-то выключенное, чтоб было куда стекать? Или там цепи изолированные, и тоже бессмысленно?

В общем я так понял есть два типа отказов:
1-а) временный проводящий канал - создаёт случайные сигналы, переключения и т.п. события, в т.ч. сбои в памяти - купируется корректирующими кодами и мажоритарной схемотехникой.
1-б) для флеш-ПЗУ и УФ-ПЗУ такой канал может "стереть" записанный бит, т.е. испортить информацию в ПЗУ.
1-в) в особо вредном случае такой канал может открыть паразитный "тиристор" возникающий благодаря существующей кремниевой КМОП технологии и включенный от (+) к (-) питания, т.е. происходит КЗ. дальше по ситуации или выгорает, или перегревается, если не отключить вовремя питание.

2) накопление прилетевших и возникших зарядов в диэлектрике (SiO2) - в подзатворных областях, изолирующих областях и т.д. Эти заряды создают постоянные смещения в местах где они возникли, и если становится очень много - могут необратимо изменить логику. Бороться с ними никак.

С (1а) можно бороться алгоритмически и схемотехнически, с (1б) избыточностью информации в ПЗУ, с (1в) борется обсуждаемое выше устройство. С (2) можно бороться ограничением срока службы, и многократным холодным резервированием.
   88
RU Клапауций #30.11.2021 10:52  @Bredonosec#28.11.2021 02:44
+
+1
-
edit
 

Клапауций

координатор
★★☆
Bredonosec> к слову о стойкости схемотехники космической (и милитари) градации к ядерным взрывам..

Воздействия ядерного взрыва и космоса - довольно разные. Так что одна стойкость с другой не так уж однозначно связана.
   88
RU Клапауций #30.11.2021 10:55  @Bredonosec#28.11.2021 01:45
+
+2
-
edit
 

Клапауций

координатор
★★☆
Bredonosec> Вот сейчас попалась новость, что придумали некий девайс, который позволяет это делать регулярно и каким-то образом не нарушать работу устройств (что наиболее непонятно)
На противоракетах это решали примерно так

"Функционирование БЦВМ в боевом режиме при воздействии заданных уровней радиации обеспечивалось за счет кратковременного прерывания вычислительного процесса на период прохождения опасной зоны от ядерного взрыва головной части предыдущей противоракеты. При этом содержимое базовых регистров БЦВМ записывалось в ферритовую память блока рестартера, а после прохождения опасной зоны вычислительный процесс в БЦВМ восстанавливался"
   88
+
-
edit
 
Ronin> По причине (б) ей требуются постоянные циклы регенерации через 2-64мс
То есть, защищенность будет выражаться в отсутствии цикла перезаписи? Или на кондерах это не грозит?
мне казалось, на кондерах наоборот пробой вероятнее поймать от радиации..

Ronin> 1-в) в особо вредном случае такой канал может открыть паразитный "тиристор" возникающий благодаря существующей кремниевой КМОП технологии и включенный от (+) к (-) питания, т.е. происходит КЗ. дальше по ситуации или выгорает, или перегревается, если не отключить вовремя питание.
То есть, по факту, против этого периодические отключения питания и нацелены, это понятно. Непонятно только было, как оно будет совмещаться с работой логики..

Ronin> 2) накопление прилетевших и возникших зарядов в диэлектрике (SiO2) - в подзатворных областях, изолирующих областях и т.д. Эти заряды создают постоянные смещения в местах где они возникли, и если становится очень много - могут необратимо изменить логику. Бороться с ними никак.
А как-то схематически типа обеспечить стекание или обеспечить возможность замыкания для стекания невозможно? Или алгоритмически?
   91.091.0
LT Bredonosec #01.12.2021 12:14  @Клапауций#30.11.2021 10:52
+
-
edit
 
Клапауций> Воздействия ядерного взрыва и космоса - довольно разные. Так что одна стойкость с другой не так уж однозначно связана.
не, так написано было, 15 - максимальная энергия от яо, а космос и до 100 может..
   91.091.0
+
-
edit
 

Ronin

втянувшийся
Ronin>> По причине (б) ей требуются постоянные циклы регенерации через 2-64мс
Bredonosec> То есть, защищенность будет выражаться в отсутствии цикла перезаписи?

Нет, защищённость в том что можно отключить питание (для снятия тиристорного эффекта в данном чипе), а информация не потеряется.

Bredonosec> мне казалось, на кондерах наоборот пробой вероятнее поймать от радиации..

Поймать то завсегда можно.

Bredonosec> То есть, по факту, против этого периодические отключения питания и нацелены, это понятно. Непонятно только было, как оно будет совмещаться с работой логики..

Само по себе - никак. нужно при проектировании эти перезапуски учитывать.

Ronin>> 2) накопление прилетевших и возникших зарядов в диэлектрике (SiO2) - в подзатворных областях,
Bredonosec> А как-то схематически типа обеспечить стекание или обеспечить возможность замыкания для стекания невозможно? Или алгоритмически?

А вот не знаю. Проще сразу радстойкую топологию по всем правилам делать (на изоляторе и так далее).
Там же в статье говорится что в диэлектрике у дырок тоже есть подвижность, только плохая - возможно просто дать отстояться. А всякая экзотика типа высокого напряжения или рентгена может вредить больше чем лечить :)
Ещё биполярная технология должна быть меньше подвержена - но от неё давно ушли.
   88
+
-
edit
 
Ronin> Нет, защищённость в том что можно отключить питание (для снятия тиристорного эффекта в данном чипе), а информация не потеряется.
аа, то есть, тиристорный НЕ на ячейках памяти, а на каком-нибудь вспомогательном элементе?
Тогда логично.. Но сколько там этих вспомогательных, чтоб оно оказалось актуально..
И как сами ячейки такого рода (кондеры) реагируют на частицы? Разве не хуже, чем обычные кмопы?

Ronin> Само по себе - никак. нужно при проектировании эти перезапуски учитывать.
тогда логично

Ronin> Там же в статье говорится что в диэлектрике у дырок тоже есть подвижность, только плохая - возможно просто дать отстояться. А всякая экзотика типа высокого напряжения или рентгена может вредить больше чем лечить :)
не, рентген даже не предполагал.. Высокое - так пробьет чего-нить и приплыли... Думал, алгоритмически можно как-то открывать прямой путь от питания к земле через пораженные элементы, чтоб там стекало, но не представляю, как. Ну или топологией. Но если проще сразу защищенную, тогда вычеркиваем.
   91.091.0
RU Клапауций #03.12.2021 11:11  @Bredonosec#01.12.2021 12:14
+
+1
-
edit
 

Клапауций

координатор
★★☆
Bredonosec> не, так написано было, 15 - максимальная энергия от яо, а космос и до 100 может..

Там рассматривают а) воздействие ионизирующего излучения и б) только на полупроводниковую структуру.

Но ещё раз могу повторить, что ЯВ и космос - разные условия. Скажем, при ЯВ есть импульсный рентген.

Если интересно, можешь глянуть статью. Обрати внимание на "вторую группу эффектов" и что из неё следует. Почему, например, в космической электронике можно применять золотые покрытия, а вот в милитари - алюминий.
   88
LT Bredonosec #04.12.2021 00:17  @Клапауций#03.12.2021 11:11
+
-
edit
 
Клапауций> Там рассматривают а) воздействие ионизирующего излучения и б) только на полупроводниковую структуру.
да, само собой, о том и речь.

Клапауций> Если интересно, можешь глянуть статью.
Спасибо. Вспомнил некоторые базовые связи))
Но вот фразу "Полученная величина Р х превышает максимальное значение Р γ при ядерных взрывах." не понял. Поглощенная доза превышает излученную? Или что это Ру означает?

>Обрати внимание на "вторую группу эффектов" и что из неё следует. Почему, например, в космической электронике можно применять золотые покрытия, а вот в милитари - алюминий.
ага, вижу. Принцип прозрачности понятен и очевиден.
Но вот олово - это вообще жесть.. Как припой не испаряется? Или мощности эффектов не хватает для масштабов припаеваемых контактов? И германий и галлий как-то не внушают в этом плане тоже.. вот совсем.. А вроде регулярно читаю предложения на их основе что-то лепить военное. Мол перспективно и всё такое. Причем, даже принципиально неэкранируемые элементы, как модули фар брлс.
   88.088.0

в начало страницы | новое
 
Поиск
Настройки
Твиттер сайта
Статистика
Рейтинг@Mail.ru