Российская электроника, микроэлектроника, приборостроение

«Росэлектроника» запустила производство сверхминиатюрных светодиодных ламп
Они предназначены для индикации и подсветки аппаратуры на кораблях, в автомобилях, на борту самолетов и вертолетов.
лампы устойчивы к механическим воздействиям, высокой влажности, соляному туману и экстремальным температурам.
Сверхминиатюрные светодиодные лампы разработаны специалистами томского НИИ полупроводниковых приборов и предназначены для замены в бортовой аппаратуре сверхминиатюрных ламп накаливания. Новые изделия долговечнее более чем в десять раз – срок их службы превышает 50 000 часов. Размер ламп составляет 7-9 мм, диаметр не превышает 3,2 мм, а масса – 0,2 г.
применяется специально разработанный в НИИПП светорассеивающий материал корпуса, который обеспечивает защиту ламп в жестких условиях эксплуатации.
«К нам обратились заказчики из авиационной отрасли с просьбой создать замену сверхминиатюрным лампам накаливания, разработанным и изготовленным еще во времена СССР. Складские запасы таких изделий подходят к концу, а на рынке представлены только импортные аналоги, не соответствующие всем необходимым техническим требованиям. Первые партии наших новых ламп уже поставлены заказчику, и мы получили положительную обратную связь. Производственные мощности НИИПП позволяют полностью обеспечить изделиями потребности отечественного рынка. На сегодняшний день первая партия наших ламп уже поставлена изготовителям аппаратуры для самолетной и вертолетной техники».
Лампы светодиодные сверхминиатюрные (ЛСМ) выпускаются в трех конструктивных исполнениях для разных способов подключения и с различными выводами: байонетные, аксиальные и радиальные.

«Росэлектроника» разработала линейку СВЧ-модулей для радиоэлектронной аппаратуры наземного базирования. Устройства существенно дешевле зарубежных комплектующих и позволят заменить американские, немецкие и французские аналоги.
Линейка СВЧ-модулей разработана Специальным конструкторским бюро по релейной технике. Изделия предназначены для коммутации сигналов до 18 ГГц, способны выдерживать многократные удары с ускорением до 50g, акустический шум до 150 дБ и работать при температуре от -60 до 85 градусов по Цельсию.
Разработанная ЭКБ полностью заменяет модули серий 535, 545 и 565 фирмы Dow Key Microwave Corporation (США), а также является функциональной заменой комплектующих фирм Radiall SA (Франция), Teledyne Technologies Incorporated (США), Tesat-Spacecom (Германия).
«В настоящее время на российском рынке модулей СВЧ практически отсутствуют отечественные продукты. Применение наших комплектующих позволит значительно сократить сроки проектирования аппаратуры, повысить технические характеристики и снизить ее себестоимость. Новая ЭКБ уже выпускается серийно и внесена в Реестр российской промышленной продукции».

«Росэлектроника» разработала аппаратуру для обеспечения криптозащиты сетей спецсвязи. Новое устройство совмещает в себе функции IP-шифратора, межсетевого экрана, маршрутизатора и позволяет работать с информацией высокого класса конфиденциальности.
Устройство М-757А разработано Пензенским научно-исследовательским электротехническим институтом. Аппаратура способна работать с 5000 устройств в сети и имеет пропускную способность до 1 Гбит/с. Скорость шифрования М-757А составляет 400 Мбит/с на пакетах длиной 256 байт и 900 Мбит/с на пакетах длиной 1400 байт.
«В устройстве М-757А все — от корпуса до электрических схем — создано в ПНИЭИ. В изделии отсутствует программное обеспечение сторонних разработчиков, всеми исходными кодами владеет предприятие. Ключевая особенность новой аппаратуры в том, что нам удалось совместить на одной платформе три функции — IP-шифратора, межсетевого экрана и маршрутизатора. Устройство позволяет обрабатывать конфиденциальную информацию класса КА и проходит сертификацию по требованиям ФСБ как маршрутизатор и межсетевой экран».

В ОЭЗ «Технополис Москва» заработало новое производство печатных плат.Оно развернулось на заводе «Протон» на площадке «МИЭТ».
Все технологические процессы с использованием электрохимической обработки изделий проводятся исключительно на российском оборудовании и с использованием российских реактивов. Практически вся продукция завода отправится производителя отечественной радиоэлектроники.
Известно, что площадка «МИЭТ» представляет собой первый из корпусов Инновационного центра электроники в Зеленограде. Там запущено производство электронных модулей и радиоэлектронной аппаратуры, а также экспериментальный и опытный цеха. Второй корпус достроят к осени этого года.

На производстве Геоскана (участке радиоэлектронной аппаратуры) модернизировали линию поверхностного монтажа — это увеличит производительность почти в два раза, а также позволит собирать печатные узлы с большим количеством разных компонентов высокой сложности. Линию доукомплектовали автоматическим загрузчиком и разгрузчиком печатных плат, принтером трафаретной намазки, предназначенным для нанесения паяльной пасты через трафарет, еще одним установщиком SMD-компонентов*, а также 11-зонной конвекционной печью.
Раньше в Геоскане при поверхностном монтаже электронных модулей платы закладывались и выгружались в станок по ходу всего изготовления вручную, так же происходило и нанесение паяльной пасты.
«Модернизация линии поверхностного монтажа очень помогла оптимизировать работу. Мы настроили установщики так, чтобы один станок собирал мелкие компоненты, а другой — крупные. Всего в них 240 посадочных мест, которые полностью покрывают все наши потребности. И, конечно, мы получили преимущество в скорости: время на изготовление плат уменьшилось примерно на 40%"

Микрон, крупнейший российский производитель микроэлектроники увеличил производственные мощности по выпуску корпусированных микросхем промышленного назначения для экстремальной электроники в 2,4 раза.
В рамках проекта Микрон модернизировал производственный участок площадью 1,5 тыс. кв. м, где были открыты новые чистые производственные помещения, соответствующие классу ISO 8, установлено и запущено 29 новых единиц оборудования, из них 8 российского производства.
На новых площадях сборочного производства осуществляются технологические операции по скрайбированию пластин, монтажу кристалла, присоединению алюминиевых проводников, герметизации микросхем. Расширение производства позволит нарастить выпуск корпусированных микросхем для приборостроения, машиностроения, аппаратуры, применяемой в зонах с экстремальными перепадами температур, давления, радиации, в том числе в арктических регионах, при глубоководных и подземных работах.
«Критически важно удовлетворить растущие потребности в электронной компонентной базе отечественного производства всех отраслей промышленности — от приборостроения и автопрома до авиации и машиностроения. В ходе развития сборочного производства Микрон уже запустил 8 установок российского производства. Реализация данного проекта позволила создать на предприятии 187 современных рабочих мест»
«Потребность в импортозамещении является драйвером развития производства. В 2023 году количество рабочих мест в сегменте микроэлектроники увеличилось на 10%, а объем инвестиций — в 1,5 раза в сравнении с 2022 годом. Для модернизации инфраструктуры под развитие сборочного производства экстремальной электроники завод использовал часть средств из общего Гранта Правительства Москвы»
В марте 2024 года Микрон запустил две производственные линии: новую линию сборки микросхем в пластиковые корпуса и дополнительную линию сборки чип-модулей, что позволит увеличить возможности локализации отечественных производителей приборов и устройств для реализации задач, поставленных в Концепции технологического развития РФ до 2030 года.

Воронежский НИИ электронной техники продолжает реализацию проектов по созданию микроконтроллеров на ядре RISC-V для различных задач актуальных на гражданском рынке. Данные разработки помогут снизить зависимость отечественных производителей от зарубежных изделий микроэлектроники.
Двухъядерный 32-разрядный контроллер, созданный инженерами из Воронежа, найдет применение в сферах АСУ ТП, индустриальных системах и автоэлектронике.
Всего в разработке четыре микроконтроллера на основе открытой архитектуры RISC‑V, подходящие для применения в различных системах — от аппаратуры автоматизированных систем управления технологическим процессом до устройств интернета вещей и портативной техники.

В июне 2024 состоялся запуск серийного производства домашних абонентских шлюзов технологии GPON от «Искра Технологии» на базе производственной площадки в Екатеринбурге.
Это первый проект производства массового абонентского оборудования, который реализуется в интересах ПАО «Ростелеком». Текущие производственные мощности позволят предприятию выпускать несколько сотен тысяч изделий в год.

В настоящее время ряд российских компаний реализует перспективные проекты в области разработки и производства МИС и модулей СВЧ-диапазона.
Основные направления деятельности АО «Микроволновые системы», отмечающего в 2024 году 20-летие – разработка и серийное производство широкополосных твердотельных СВЧ-усилителей, приемо-передающих модулей, СВЧ-транзисторов, монолитных и гибридных интегральных СВЧ-микросхем. Компания серийно выпускает усилители с выходной мощностью от 0,1 до 150 Вт, работающие в октавных и многооктавных полосах частот от 0,5 до 22 ГГц.
Специалистами АО «Микроволновые системы» разработаны и поставляются импульсные усилители мощности со встроенными источниками вторичного питания с предельно низким уровнем вносимых фазовых и амплитудных флуктуаций для радиолокационных систем. Они используются для усиления зондирующего сигнала, подаваемого на распределительную систему АФАР. Предприятие развивает направление высокомощных импульсных усилителей спектрально чистого сигнала мощностью несколько сотен и более Вт. В портфеле предприятия есть и изделия в микрокорпусах: 50-Вт внутри-согласованный транзистор Х-диапазона и 12-Вт СВЧ-микромодуль предусилителя к нему.
В последнее время АО «Микроволновые системы» активно расширяет работы по созданию радиотехнических систем и их составных частей. Это многофункциональные компактные решения в области радиолокации, навигации и связи с использованием технологии АФАР для авиационных, морских и сухопутных платформ, предназначенных для применения в интересах различных коммерческих предприятий, государственных служб и ведомств. Отличительная особенность этого направления – широкий набор собственных компетенций АО «Микроволновые системы» – от разработки СВЧ ЭКБ со специальными техническими характеристиками и создания микромодулей СВЧ на ее основе до разработки законченных радиотехнических комплексов. В 2023 году завершена разработка и осваивается производство приемо-передающих модулей X- и Ku-диапазонов для радиолокационных систем с АФАР.
В НИЯУ МИФИ активно ведутся разработки в области интегральной СВЧ-электроники. Недавно сотрудниками кафедры электроники и кафедры микро- и наноэлектроники университета был спроектирован уникальный радиационно-стойкий СВЧ-усилитель в интегральном исполнении, рассчитанный на применение в различных областях, в том числе в космической. Специально разработанная топология кристалла СВЧ-усилителя обеспечивает радиационную стойкость. По словам разработчиков, усилитель достаточно универсален, его можно применять в космосе, коммуникационных системах, физических экспериментах в ЦЕРНе, системах детектирования и других областях.
При этом для создания СВЧ-усилителя сотрудники НИЯУ МИФИ доработали методологию проектирования радиационно-стойких устройств. Все, кто занимается разработкой радиационно-стойкой электроники, сталкиваются с большим количеством проблем, среди которых – отсутствие технологических библиотек СВЧ-элементов, снабженных радиационно-ориентированными моделями, отсутствие функциональных блоков с известными показателями радиационной стойкости, отсутствие ряда важных этапов в типовом маршруте проектирования, связанных с обеспечением радиационной стойкости, и многие другие.
Новый комплексный проект в области создания СВЧ-компонентов выполняет АО «НИИЭТ». В рамках проекта по разработке и освоению серийного производства импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF-, L- и S-диапазонах частот специалисты предприятия создают серию из пяти мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в каждом диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В серию входят LDMOS-транзисторы для применения в усилителях мощности бортового радионавигационного оборудования, систем ближней навигации, обзорных РЛС авиационного и наземного базирования, систем государственного опознавания и РЛС S-диапазона. В основе проекта – новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая последние достижения отечественной микроэлектроники в данной области.
Применение разрабатываемых в рамках данного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достигнуть повышенных энергетических параметров аппаратуры, в первую очередь – более высокую выходную импульсную мощность. Сегодня не существует серийно выпускаемых отечественных транзисторов, способных отдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного оборудования диапазонах частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и коэффициента усиления. Между тем, именно эти параметры позволяют увеличивать дальность действия радиолокационных средств, сокращать число используемых усилительных элементов, благодаря чему можно добиться снижения габаритов и массы оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с применением зарубежных аналогов основное преимущество это меньшая стоимость конечного изделия и отсутствие риска срыва поставок из-за санкций.

На ведущем предприятии по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции GS Nanotech , расположенном в Калининградской области, собрана и отгружена стотысячная партия RISC-V микроконтроллеров MIK32 Амур. .
«. По условиям соглашения калининградское предприятие до конца года соберет в корпус до полумиллиона микроконтроллеров Амур»».
MIK32 Амур (К1949ВК018) – первый полностью отечественный 32-разрядный микроконтроллер с ядром на архитектуре RISC-V, разработан и производится в России в группе «Элемент» (разработка совместно с НИИМА «Прогресс», производство Микрона), включен в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции (ПП РФ 878), не зависит от лицензируемой зарубежной интеллектуальной собственности. Предназначен для использования в умных устройствах, телеком-оборудовании, промышленной автоматизации и другой технике, включая критическую инфраструктуру.
В ходе реализации заказа технические специалисты GS Nanotech применили экспертизу и компетенции, наработанные ранее при крупносерийной сборке чипов в корпусах BGA, LGA, а также сложных многовыводных микросхем, в том числе по технологии SiP (системы-в-корпусе). Это позволило обеспечить показатель выхода годной продукции 99,2%.

ГК «Микрон» – единственное в РФ серийное производство микроэлектроники с топологией до 90 нм. Микрон производит более 800 типономиналов продукции на топологических нормах до 90 нм

Холдинг «Росэлектроника» разработал лампу бегущей волны для перспективных спутников «Экспресс-РВ». Эти космические аппараты предназначены для организации широкополосного доступа в интернет на всей территории России, в том числе на Северном морском пути, а также Северном полюсе.
«Разработанные инженерами „Росэлектроники“ новые высокоэффективные лампы бегущей волны дополняют линейку уже существующих изделий такого типа для систем космического назначения. Новинка отличается от предыдущих модификаций улучшенными характеристиками. Так, ее вес — менее 1,2 кг, она имеет компактные габариты, а срок службы составляет 150 тысяч часов. В изделии применяются только отечественные комплектующие».
Новые приборы созданы специалистами входящего в «Росэлектронику» НПП «Алмаз».

ПАО «Элемент», один из крупнейших разработчиков и производителей электроники, лидер в области микроэлектроники в России, привлекает кредит в размере 15 млрд руб.
Кредитором выступает государственная корпорация развития «ВЭБ.РФ.
Средства будут использованы для финансирования создания серийного производства компонентов силовой микроэлектроники. Общая стоимость проекта составляет 19,5 млрд руб.
Новое предприятие станет первым в России крупным серийным производством кристаллов силовых диодов и транзисторов на основе кремния и карбида кремния с использованием современных технологий изготовления силовых устройств. Проектная мощность позволит выпускать до 140 тыс. пластин в год. В перспективе следующих шести лет это даст возможность увеличить объем российского производства силовой микроэлектроники с текущих 2% до 70% и значительно повысить уровень локализации силовой ЭКБ.